元器件型號: | EDD51323EBH-6ELS-F |
生產廠家: | ![]() |
描述和應用: | DDR DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-90 動態存儲器 雙倍數據速率 內存集成電路 |
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型號參數:EDD51323EBH-6ELS-F參數 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | ELPIDA MEMORY INC |
零件包裝代碼 | BGA |
包裝說明 | VFBGA, |
針數 | 90 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代碼 | EAR99 |
HTS代碼 | 8542.32.00.28 |
風險等級 | 5.27 |
訪問模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最長訪問時間 | 5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代碼 | R-PBGA-B90 |
JESD-609代碼 | e1 |
長度 | 13 mm |
內存密度 | 536870912 bit |
內存集成電路類型 | DDR DRAM |
內存寬度 | 32 |
功能數量 | 1 |
端口數量 | 1 |
端子數量 | 90 |
字數 | 16777216 words |
字數代碼 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作溫度 | 85 °C |
最低工作溫度 | -25 °C |
組織 | 16MX32 |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝代碼 | VFBGA |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
認證狀態 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
自我刷新 | YES |
最大供電電壓 (Vsup) | 1.95 V |
最小供電電壓 (Vsup) | 1.7 V |
標稱供電電壓 (Vsup) | 1.8 V |
表面貼裝 | YES |
技術 | CMOS |
溫度等級 | OTHER |
端子面層 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子節距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
寬度 | 8 mm |
Base Number Matches | 1 |
DDR DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-90
動態存儲器 雙倍數據速率 內存集成電路