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          K3N6C1000E-GC150 [SAMSUNG]

          MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44;
          K3N6C1000E-GC150
          元器件型號: K3N6C1000E-GC150
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

          有原始數據的樣本ROM 光電二極管 內存集成電路
          PDF文件: 總3頁 (文件大?。?9K)
          下載文檔:  下載PDF數據表文檔文件
          型號參數:K3N6C1000E-GC150參數
          是否Rohs認證 不符合
          生命周期Obsolete
          IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
          零件包裝代碼SOIC
          包裝說明SOP,
          針數44
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼EAR99
          HTS代碼8542.32.00.71
          風險等級5.92
          最長訪問時間150 ns
          備用內存寬度8
          JESD-30 代碼R-PDSO-G44
          長度28.5 mm
          內存密度33554432 bit
          內存集成電路類型MASK ROM
          內存寬度16
          功能數量1
          端子數量44
          字數2097152 words
          字數代碼2000000
          工作模式ASYNCHRONOUS
          最高工作溫度70 °C
          最低工作溫度
          組織2MX16
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼SOP
          封裝形狀RECTANGULAR
          封裝形式SMALL OUTLINE
          并行/串行PARALLEL
          峰值回流溫度(攝氏度)225
          認證狀態Not Qualified
          座面最大高度3.1 mm
          最大供電電壓 (Vsup)5.5 V
          最小供電電壓 (Vsup)4.5 V
          標稱供電電壓 (Vsup)5 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級COMMERCIAL
          端子形式GULL WING
          端子節距1.27 mm
          端子位置DUAL
          處于峰值回流溫度下的最長時間30
          寬度12.6 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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