K4D26323QG-VC220 [SAMSUNG]

DDR DRAM, 4MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144;


元器件型號：	K4D26323QG-VC220
生產廠家：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和應用：	DDR DRAM, 4MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 動態存儲器雙倍數據速率內存集成電路
PDF文件：	總18頁 (文件大?。?15K)
下載文檔：	下載PDF數據表文檔文件
型號參數：K4D26323QG-VC220參數
是否Rohs認證	符合
生命周期	Obsolete
零件包裝代碼	BGA
包裝說明	LFBGA,
針數	144
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代碼	EAR99
HTS代碼	8542.32.00.02
風險等級	5.45
訪問模式	FOUR BANK PAGE BURST
最長訪問時間	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代碼	S-PBGA-B144
JESD-609代碼	e1
長度	12 mm
內存密度	134217728 bit
內存集成電路類型	DDR DRAM
內存寬度	32
濕度敏感等級	2
功能數量	1
端口數量	1
端子數量	144
字數	4194304 words
字數代碼	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作溫度	65 °C
最低工作溫度
組織	4MX32
封裝主體材料	PLASTIC/EPOXY
封裝代碼	LFBGA
封裝形狀	SQUARE
封裝形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）	260
認證狀態	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
最大供電電壓 (Vsup)	2.1 V
最小供電電壓 (Vsup)	1.9 V
標稱供電電壓 (Vsup)	2 V
表面貼裝	YES
技術	CMOS
溫度等級	COMMERCIAL
端子面層	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子節距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間	40
寬度	12 mm
Base Number Matches	1