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          K4D26323QG-VC220 [SAMSUNG]

          DDR DRAM, 4MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144;
          K4D26323QG-VC220
          元器件型號: K4D26323QG-VC220
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          DDR DRAM, 4MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144

          動態存儲器 雙倍數據速率 內存集成電路
          PDF文件: 總18頁 (文件大?。?15K)
          下載文檔:  下載PDF數據表文檔文件
          型號參數:K4D26323QG-VC220參數
          是否Rohs認證 符合
          生命周期Obsolete
          零件包裝代碼BGA
          包裝說明LFBGA,
          針數144
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼EAR99
          HTS代碼8542.32.00.02
          風險等級5.45
          訪問模式FOUR BANK PAGE BURST
          最長訪問時間0.45 ns
          其他特性AUTO/SELF REFRESH
          JESD-30 代碼S-PBGA-B144
          JESD-609代碼e1
          長度12 mm
          內存密度134217728 bit
          內存集成電路類型DDR DRAM
          內存寬度32
          濕度敏感等級2
          功能數量1
          端口數量1
          端子數量144
          字數4194304 words
          字數代碼4000000
          工作模式SYNCHRONOUS
          最高工作溫度65 °C
          最低工作溫度
          組織4MX32
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼LFBGA
          封裝形狀SQUARE
          封裝形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
          峰值回流溫度(攝氏度)260
          認證狀態Not Qualified
          座面最大高度1.4 mm
          自我刷新YES
          最大供電電壓 (Vsup)2.1 V
          最小供電電壓 (Vsup)1.9 V
          標稱供電電壓 (Vsup)2 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級COMMERCIAL
          端子面層Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
          端子形式BALL
          端子節距0.8 mm
          端子位置BOTTOM
          處于峰值回流溫度下的最長時間40
          寬度12 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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