元器件型號: | K4S560832C-TL1L0 |
生產廠家: | ![]() |
描述和應用: | Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 動態存儲器 光電二極管 內存集成電路 |
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型號參數:K4S560832C-TL1L0參數 | |
是否無鉛 | 含鉛 |
是否Rohs認證 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包裝代碼 | TSOP2 |
包裝說明 | TSOP2, |
針數 | 54 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代碼 | EAR99 |
HTS代碼 | 8542.32.00.24 |
風險等級 | 5.54 |
訪問模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最長訪問時間 | 6 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代碼 | R-PDSO-G54 |
長度 | 22.22 mm |
內存密度 | 268435456 bit |
內存集成電路類型 | SYNCHRONOUS DRAM |
內存寬度 | 8 |
功能數量 | 1 |
端口數量 | 1 |
端子數量 | 54 |
字數 | 33554432 words |
字數代碼 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作溫度 | 70 °C |
最低工作溫度 | |
組織 | 32MX8 |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝代碼 | TSOP2 |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流溫度(攝氏度) | 240 |
認證狀態 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供電電壓 (Vsup) | 3.6 V |
最小供電電壓 (Vsup) | 3 V |
標稱供電電壓 (Vsup) | 3.3 V |
表面貼裝 | YES |
技術 | CMOS |
溫度等級 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子節距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
處于峰值回流溫度下的最長時間 | 30 |
寬度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
動態存儲器 光電二極管 內存集成電路