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          K4S560832C-TL1L0 [SAMSUNG]

          Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54;
          K4S560832C-TL1L0
          元器件型號: K4S560832C-TL1L0
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

          動態存儲器 光電二極管 內存集成電路
          PDF文件: 總11頁 (文件大?。?13K)
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          型號參數:K4S560832C-TL1L0參數
          是否無鉛 含鉛
          是否Rohs認證 不符合
          生命周期Obsolete
          IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
          零件包裝代碼TSOP2
          包裝說明TSOP2,
          針數54
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼EAR99
          HTS代碼8542.32.00.24
          風險等級5.54
          訪問模式FOUR BANK PAGE BURST
          最長訪問時間6 ns
          其他特性AUTO/SELF REFRESH
          JESD-30 代碼R-PDSO-G54
          長度22.22 mm
          內存密度268435456 bit
          內存集成電路類型SYNCHRONOUS DRAM
          內存寬度8
          功能數量1
          端口數量1
          端子數量54
          字數33554432 words
          字數代碼32000000
          工作模式SYNCHRONOUS
          最高工作溫度70 °C
          最低工作溫度
          組織32MX8
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼TSOP2
          封裝形狀RECTANGULAR
          封裝形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
          峰值回流溫度(攝氏度)240
          認證狀態Not Qualified
          座面最大高度1.2 mm
          自我刷新YES
          最大供電電壓 (Vsup)3.6 V
          最小供電電壓 (Vsup)3 V
          標稱供電電壓 (Vsup)3.3 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級COMMERCIAL
          端子形式GULL WING
          端子節距0.8 mm
          端子位置DUAL
          處于峰值回流溫度下的最長時間30
          寬度10.16 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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