K6F1616R6A-EF70 [SAMSUNG]

Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48;


元器件型號：	K6F1616R6A-EF70
生產廠家：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和應用：	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 靜態存儲器內存集成電路
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型號參數：K6F1616R6A-EF70參數
是否Rohs認證	不符合
生命周期	Obsolete
零件包裝代碼	BGA
包裝說明	VFBGA, BGA48,6X8,30
針數	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代碼	3A991.B.2.A
HTS代碼	8542.32.00.41
風險等級	5.86
最長訪問時間	70 ns
I/O 類型	COMMON
JESD-30 代碼	R-PBGA-B48
JESD-609代碼	e0
長度	9.5 mm
內存密度	16777216 bit
內存集成電路類型	STANDARD SRAM
內存寬度	16
功能數量	1
端子數量	48
字數	1048576 words
字數代碼	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作溫度	85 °C
最低工作溫度	-40 °C
組織	1MX16
輸出特性	3-STATE
封裝主體材料	PLASTIC/EPOXY
封裝代碼	VFBGA
封裝等效代碼	BGA48,6X8,30
封裝形狀	RECTANGULAR
封裝形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流溫度（攝氏度）	NOT SPECIFIED
電源	1.8/2 V
認證狀態	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大待機電流	0.000008 A
最小待機電流	1 V
子類別	SRAMs
最大壓擺率	0.025 mA
最大供電電壓 (Vsup)	2.2 V
最小供電電壓 (Vsup)	1.65 V
標稱供電電壓 (Vsup)	1.8 V
表面貼裝	YES
技術	CMOS
溫度等級	INDUSTRIAL
端子面層	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子節距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間	NOT SPECIFIED
寬度	7.5 mm
Base Number Matches	1