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          K6F1616R6A-EF70 [SAMSUNG]

          Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48;
          K6F1616R6A-EF70
          元器件型號: K6F1616R6A-EF70
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

          靜態存儲器 內存集成電路
          PDF文件: 總9頁 (文件大?。?57K)
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          型號參數:K6F1616R6A-EF70參數
          是否Rohs認證 不符合
          生命周期Obsolete
          零件包裝代碼BGA
          包裝說明VFBGA, BGA48,6X8,30
          針數48
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼3A991.B.2.A
          HTS代碼8542.32.00.41
          風險等級5.86
          最長訪問時間70 ns
          I/O 類型COMMON
          JESD-30 代碼R-PBGA-B48
          JESD-609代碼e0
          長度9.5 mm
          內存密度16777216 bit
          內存集成電路類型STANDARD SRAM
          內存寬度16
          功能數量1
          端子數量48
          字數1048576 words
          字數代碼1000000
          工作模式ASYNCHRONOUS
          最高工作溫度85 °C
          最低工作溫度-40 °C
          組織1MX16
          輸出特性3-STATE
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼VFBGA
          封裝等效代碼BGA48,6X8,30
          封裝形狀RECTANGULAR
          封裝形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
          并行/串行PARALLEL
          峰值回流溫度(攝氏度)NOT SPECIFIED
          電源1.8/2 V
          認證狀態Not Qualified
          座面最大高度1 mm
          最大待機電流0.000008 A
          最小待機電流1 V
          子類別SRAMs
          最大壓擺率0.025 mA
          最大供電電壓 (Vsup)2.2 V
          最小供電電壓 (Vsup)1.65 V
          標稱供電電壓 (Vsup)1.8 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級INDUSTRIAL
          端子面層Tin/Lead (Sn/Pb)
          端子形式BALL
          端子節距0.75 mm
          端子位置BOTTOM
          處于峰值回流溫度下的最長時間NOT SPECIFIED
          寬度7.5 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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