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          K7K3218T2C-FI330 [SAMSUNG]

          DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165;
          K7K3218T2C-FI330
          元器件型號: K7K3218T2C-FI330
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

          時鐘 雙倍數據速率 靜態存儲器 內存集成電路
          PDF文件: 總19頁 (文件大?。?01K)
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          型號參數:K7K3218T2C-FI330參數
          是否Rohs認證不符合
          生命周期Obsolete
          IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
          零件包裝代碼BGA
          包裝說明LBGA, BGA165,11X15,40
          針數165
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼3A991.B.2.A
          HTS代碼8542.32.00.41
          風險等級5.92
          Is SamacsysN
          最長訪問時間0.45 ns
          其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
          最大時鐘頻率 (fCLK)333 MHz
          I/O 類型COMMON
          JESD-30 代碼R-PBGA-B165
          JESD-609代碼e0
          長度17 mm
          內存密度37748736 bit
          內存集成電路類型DDR SRAM
          內存寬度18
          功能數量1
          端子數量165
          字數2097152 words
          字數代碼2000000
          工作模式SYNCHRONOUS
          最高工作溫度85 °C
          最低工作溫度-40 °C
          組織2MX18
          輸出特性3-STATE
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼LBGA
          封裝等效代碼BGA165,11X15,40
          封裝形狀RECTANGULAR
          封裝形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
          并行/串行PARALLEL
          峰值回流溫度(攝氏度)240
          電源1.5/1.8 V
          認證狀態Not Qualified
          座面最大高度1.4 mm
          最大待機電流0.3 A
          最小待機電流1.7 V
          子類別SRAMs
          最大壓擺率0.7 mA
          最大供電電壓 (Vsup)1.9 V
          最小供電電壓 (Vsup)1.7 V
          標稱供電電壓 (Vsup)1.8 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級INDUSTRIAL
          端子面層TIN LEAD
          端子形式BALL
          端子節距1 mm
          端子位置BOTTOM
          處于峰值回流溫度下的最長時間30
          寬度15 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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