K7K3218T2C-FI330 [SAMSUNG]

DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165;


元器件型號：	K7K3218T2C-FI330
生產廠家：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和應用：	DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 時鐘雙倍數據速率靜態存儲器內存集成電路
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型號參數：K7K3218T2C-FI330參數
是否Rohs認證	不符合
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼	BGA
包裝說明	LBGA, BGA165,11X15,40
針數	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代碼	3A991.B.2.A
HTS代碼	8542.32.00.41
風險等級	5.92
Is Samacsys	N
最長訪問時間	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大時鐘頻率 (fCLK)	333 MHz
I/O 類型	COMMON
JESD-30 代碼	R-PBGA-B165
JESD-609代碼	e0
長度	17 mm
內存密度	37748736 bit
內存集成電路類型	DDR SRAM
內存寬度	18
功能數量	1
端子數量	165
字數	2097152 words
字數代碼	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作溫度	85 °C
最低工作溫度	-40 °C
組織	2MX18
輸出特性	3-STATE
封裝主體材料	PLASTIC/EPOXY
封裝代碼	LBGA
封裝等效代碼	BGA165,11X15,40
封裝形狀	RECTANGULAR
封裝形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流溫度（攝氏度）	240
電源	1.5/1.8 V
認證狀態	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待機電流	0.3 A
最小待機電流	1.7 V
子類別	SRAMs
最大壓擺率	0.7 mA
最大供電電壓 (Vsup)	1.9 V
最小供電電壓 (Vsup)	1.7 V
標稱供電電壓 (Vsup)	1.8 V
表面貼裝	YES
技術	CMOS
溫度等級	INDUSTRIAL
端子面層	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子節距	1 mm
端子位置	BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間	30
寬度	15 mm
Base Number Matches	1