K8C5715EBM-DE1D0 [SAMSUNG]

Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-167;


元器件型號：	K8C5715EBM-DE1D0
生產廠家：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和應用：	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-167 內存集成電路閃存
PDF文件：	總54頁 (文件大?。?187K)
下載文檔：	下載PDF數據表文檔文件
型號參數：K8C5715EBM-DE1D0參數
是否Rohs認證	符合
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼	BGA
包裝說明	LFBGA, BGA167,12X15,32
針數	167
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代碼	3A991.B.1.A
HTS代碼	8542.32.00.51
風險等級	5.84
最長訪問時間	100 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
啟動塊	BOTTOM
命令用戶界面	YES
通用閃存接口	YES
數據輪詢	YES
JESD-30 代碼	R-PBGA-B167
JESD-609代碼	e1
長度	14 mm
內存密度	268435456 bit
內存集成電路類型	FLASH
內存寬度	16
濕度敏感等級	2
功能數量	1
部門數/規模	4,255
端子數量	167
字數	16777216 words
字數代碼	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作溫度	85 °C
最低工作溫度	-25 °C
組織	16MX16
封裝主體材料	PLASTIC/EPOXY
封裝代碼	LFBGA
封裝等效代碼	BGA167,12X15,32
封裝形狀	RECTANGULAR
封裝形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流溫度（攝氏度）	260
電源	1.8 V
編程電壓	1.8 V
認證狀態	Not Qualified
就緒/忙碌	YES
座面最大高度	1.4 mm
部門規模	16K,64K
最大待機電流	0.00002 A
子類別	Flash Memories
最大壓擺率	0.055 mA
最大供電電壓 (Vsup)	1.95 V
最小供電電壓 (Vsup)	1.7 V
標稱供電電壓 (Vsup)	1.8 V
表面貼裝	YES
技術	CMOS
溫度等級	OTHER
端子面層	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子節距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間	40
切換位	YES
類型	NOR TYPE
寬度	10.5 mm
Base Number Matches	1