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          K9F2816Q0C-DIB0 [SAMSUNG]

          Flash, 8MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63;
          K9F2816Q0C-DIB0
          元器件型號: K9F2816Q0C-DIB0
          生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
          描述和應用:

          Flash, 8MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63

          內存集成電路
          PDF文件: 總33頁 (文件大?。?94K)
          下載文檔:  下載PDF數據表文檔文件
          型號參數:K9F2816Q0C-DIB0參數
          生命周期Obsolete
          IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
          零件包裝代碼BGA
          包裝說明VFBGA, BGA63,10X12,32
          針數63
          Reach Compliance Codecompliant
          ECCN代碼3A991.B.1.A
          HTS代碼8542.32.00.51
          風險等級5.78
          Is SamacsysN
          最長訪問時間40 ns
          其他特性CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH
          命令用戶界面YES
          數據輪詢NO
          JESD-30 代碼R-PBGA-B63
          長度11 mm
          內存密度134217728 bit
          內存集成電路類型FLASH
          內存寬度16
          功能數量1
          部門數/規模1K
          端子數量63
          字數8388608 words
          字數代碼8000000
          工作模式ASYNCHRONOUS
          最高工作溫度85 °C
          最低工作溫度-40 °C
          組織8MX16
          封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
          封裝代碼VFBGA
          封裝等效代碼BGA63,10X12,32
          封裝形狀RECTANGULAR
          封裝形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
          頁面大小256 words
          并行/串行SERIAL
          電源1.8 V
          編程電壓1.8 V
          認證狀態Not Qualified
          就緒/忙碌YES
          座面最大高度1 mm
          部門規模8K
          最大待機電流0.00005 A
          子類別Flash Memories
          最大壓擺率0.015 mA
          最大供電電壓 (Vsup)1.95 V
          最小供電電壓 (Vsup)1.65 V
          標稱供電電壓 (Vsup)1.8 V
          表面貼裝YES
          技術CMOS
          溫度等級INDUSTRIAL
          端子形式BALL
          端子節距0.8 mm
          端子位置BOTTOM
          切換位NO
          類型NAND TYPE
          寬度9 mm
          Base Number Matches1
          亚洲熟妇无码一区二区三区2

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