元器件型號: | K9F2816Q0C-DIB0 |
生產廠家: | ![]() |
描述和應用: | Flash, 8MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 內存集成電路 |
PDF文件: | 總33頁 (文件大?。?94K) |
下載文檔: | 下載PDF數據表文檔文件 |
型號參數:K9F2816Q0C-DIB0參數 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包裝代碼 | BGA |
包裝說明 | VFBGA, BGA63,10X12,32 |
針數 | 63 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代碼 | 3A991.B.1.A |
HTS代碼 | 8542.32.00.51 |
風險等級 | 5.78 |
Is Samacsys | N |
最長訪問時間 | 40 ns |
其他特性 | CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH |
命令用戶界面 | YES |
數據輪詢 | NO |
JESD-30 代碼 | R-PBGA-B63 |
長度 | 11 mm |
內存密度 | 134217728 bit |
內存集成電路類型 | FLASH |
內存寬度 | 16 |
功能數量 | 1 |
部門數/規模 | 1K |
端子數量 | 63 |
字數 | 8388608 words |
字數代碼 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作溫度 | 85 °C |
最低工作溫度 | -40 °C |
組織 | 8MX16 |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝代碼 | VFBGA |
封裝等效代碼 | BGA63,10X12,32 |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
頁面大小 | 256 words |
并行/串行 | SERIAL |
電源 | 1.8 V |
編程電壓 | 1.8 V |
認證狀態 | Not Qualified |
就緒/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1 mm |
部門規模 | 8K |
最大待機電流 | 0.00005 A |
子類別 | Flash Memories |
最大壓擺率 | 0.015 mA |
最大供電電壓 (Vsup) | 1.95 V |
最小供電電壓 (Vsup) | 1.65 V |
標稱供電電壓 (Vsup) | 1.8 V |
表面貼裝 | YES |
技術 | CMOS |
溫度等級 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子節距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切換位 | NO |
類型 | NAND TYPE |
寬度 | 9 mm |
Base Number Matches | 1 |
Flash, 8MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63
內存集成電路