元器件型號: | KMM366S823BT-GL |
生產廠家: | ![]() |
描述和應用: | Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS 動態存儲器 內存集成電路 |
PDF文件: | 總10頁 (文件大?。?31K) |
下載文檔: | 下載PDF數據表文檔文件 |
型號參數:KMM366S823BT-GL參數 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
包裝說明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代碼 | EAR99 |
HTS代碼 | 8542.32.00.28 |
風險等級 | 5.74 |
訪問模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最長訪問時間 | 6 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代碼 | R-XDMA-N168 |
內存密度 | 536870912 bit |
內存集成電路類型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
內存寬度 | 64 |
功能數量 | 1 |
端口數量 | 1 |
端子數量 | 168 |
字數 | 8388608 words |
字數代碼 | 8000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作溫度 | 70 °C |
最低工作溫度 | |
組織 | 8MX64 |
封裝主體材料 | UNSPECIFIED |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
認證狀態 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
最大供電電壓 (Vsup) | 3.6 V |
最小供電電壓 (Vsup) | 3 V |
標稱供電電壓 (Vsup) | 3.3 V |
表面貼裝 | NO |
技術 | CMOS |
溫度等級 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS
動態存儲器 內存集成電路